SJT 10557.3-1994 电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法
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ID： |
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0.33 |
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4 |
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日期： |
2024-7-27 |
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L 90,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 10557.3-94,电解电容器用铝箔平均位错密度,测量方法,Method for measurement of average dislocation density,of aluminium foil for electroytic capacitor,1994-08-08 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部 发布,中华人民共和国电子行业标准,电解电容器用铝箔平均位错密度,测量方法,SJ/T 10557.3-94,Method for measurement of average dislocation density,of aluminium foil for electroytic capacitor,1主题内容与适用范,本标准规定了电解电容器用铝箔平均位错密度的测量方法,本方法适用于平均位错密度为0.9X10G个cm2 的电解电容器用铝箔,2术语,2* 1 位错 dislocation,晶体中部分原子受应カ作用产生滑移,已滑移部分和未滑移部分的分界线为位错线,简称,位错,2* 2 位错蚀坑 dislocation etch pit,在化学浸蚀作用下,在晶体表面位错露头处形成规则形状的腐蚀坑称为位错蚀坑,2丒 3 平均位错密度 average dislocation density,本方法平均位错密度是指从16个测量点测得的单位面积内位错蚀坑个数的平均值(个/,cm2) 〇,3原理,采用择优化学腐蚀技术显示位错。由于位错线使其周围出现晶格变形,形成管道状应カ,场,因此该处化学势不同于基体。在某些化学腐蚀剂中,位错在晶体表面露头处优先受到腐蚀,形成由低指数晶面构成的规则蚀坑。蚀坑形状取决于样品表面所属的晶面指数,4试剂,a.无水乙醇(CH3cH2OH):分析纯;,b.高氯酸(HCLO4):优级纯;,c.硝酸(HNO3):分析纯;,d.盐酸(HCL):分析纯;,e. 氢氟酸(HF):优级纯;,f.去离子水(H2O)：电阻率大于1MA . cm 0,中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准1994-12-0I 实施,1,SJ/T 10557. 3—94,5样品制备,5* 1 样品尺寸:10mm X 15mm,5-2电解抛光,5. 2.1 电解抛光液:HCLOハCH3cHzOH=1，（4.9）（体积比）,5. 2-2电解抛光条件:,a.电解材料:不锈钢;,b.电压 15-20V；,抛光温度:V30C,5* 2* 3 抛光面尺寸［不小于! OmmX 15mm0,5. 3位错腐蚀,5- 3-1 腐蚀液:HNC）3 1 HCL ： HF :凡0 = 3 *9*2* 5（体积比）;,5. 3-2腐蚀时间:3.5min左右,6测试设备,直流电源（25V,2A）,b. 扫描电子显微镜或金相显微镜,7位错饨坑特征,｛100｝面上表现为分立的正方形浅坑｛见图1｝。｛110｝面上表现为分立的矩形浅坑（见图,2）〇 ｛U1｝面上表现为分立的三角形浅坑（见图3）,8位错蚀坑计数方法,-1测量点选择:测量点取16个,其位置如图4所示.若测量点处遇腐蚀穿孔,该点应稍作偏,移,-2在显微镜上观测时,放大倍数以各视场内位错蚀坑数目高于50个为宜,9平均位错密度计算,平均位错密度按下式计算：,D = ENJ2Aゝ,式中tD——平均位错密度（个/cn?）.,N,——测量点的位错蚀坑数目（个）;,ん——第i个测量点的视场面积（cm?）,10精度,本方法测量精度为±2.5%,11测量报吿,按下列格式填写测试报告,0,J,SJ/T 10557.3—94,样品编,图N100｝位错蚀坑X435,图3｛111｝位错蚀坑X435,年 月 日,平均位错密度（个/cm?）,检测者:,图2｛110｝位错蚀坑X435,20,2 2,图4测量占位置示意图,附加说明:,本标准由电子工业部标准化研究所归ロ 〇,本标准由电子工业部第四十六研究所负责起草,本标准主要起草人:王利杰、齐芸馨,0 ___,U……
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